講演情報
[19p-B101-8]AlGaN系UV-B LDにおけるシャープなヘテロ界面形成に関する検討
〇(M2)近藤 涼輔1、服部 光希1、井本 圭紀1、山田 凌矢1、岩山 章1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、三宅 秀人2 (1.名城大学・理工、2.三重大学・院・工)
キーワード：
半導体,窒化物,紫外レーザ
AlGaN系紫外レーザダイオードの課題としてキャリア注入効率が低いことが挙げられる。この要因としてヘテロ界面形成時のComposition pulling effect によるヘテロ界面急峻性の低下が関係しており、この現象によりキャリア注入効率が減少していることを確認した。本報告では、Pulling層膜厚を減少することと同時に良好な光共振器形成可能な層構造の開発を行った結果について報告する。