Presentation Information
[19p-B201-2]Recrystallization Initial Process of Discrete Amorphous Regions in Hydrocarbon Molecular Ion Implanted Silicon Wafer Surface
〇kouji kobayashi1,2, Ryosuke Okuyama1, Takeshi Kadono1, Ayumi Masada1, Ryo Hirose1, Akihiro Suzuki1, Yoshihiro Koga1, Kazunari Kurita1, Koji Sueoka3 (1.SUMCO, 2.Grad. Sch. of Comput. Sci. and Sys. Eng., Okayama Pref. Univ., 3.Dept. of Inf. and Commun. Eng., Okayama Pref. Univ.)
Keywords:
molecular ion implantation,recrystallization
CMOSイメージセンサ向けに重金属ゲッタリング能力を強化した高ドーズ量炭化水素分子イオン注入エピタキシャルシリコンウェーハの開発を検討している．高ドーズ量分子イオン注入後には結晶性回復熱処理が必要となり，基板表面に形成されたアモルファス領域における再結晶化挙動の解明が求められている．そこで今回，表面平面TEM像の画像処理とTCADシミュレーションを組み合わせて，基板表面の再結晶化初期過程の解析をおこなった．