講演情報
[19p-B201-2]炭化水素分子イオン注入シリコンウェーハ表面における離散的アモルファス領域の再結晶化初期過程に関する解析
〇小林 弘治1,2、奥山 亮輔1、門野 武1、柾田 亜由美1、廣瀬 諒1、鈴木 陽洋1、古賀 祥泰1、栗田 一成1、末岡 浩治3 (1.SUMCO、2.岡山県大院情報系工、3.岡山県大情報工)
キーワード：
分子イオン注入,再結晶化
CMOSイメージセンサ向けに重金属ゲッタリング能力を強化した高ドーズ量炭化水素分子イオン注入エピタキシャルシリコンウェーハの開発を検討している．高ドーズ量分子イオン注入後には結晶性回復熱処理が必要となり，基板表面に形成されたアモルファス領域における再結晶化挙動の解明が求められている．そこで今回，表面平面TEM像の画像処理とTCADシミュレーションを組み合わせて，基板表面の再結晶化初期過程の解析をおこなった．