Presentation Information
[19p-P01-29]Real-time XRD analysis of GaN remote epitaxy on sapphire substrates covered with directly grown graphene
〇(M1)Takato Oda1, Yoshikazu Kawai1, Takuo Sasaki2, Shota Yokozawa1, Hiroki Hibino1 (1.Kwansei Gakuin Univ., 2.QST)
Keywords:
Graphene,Remote epitaxy,GaN
リモートエピタキシーは、原子一層のグラフェンを介して基板に薄膜をエピタキシャル成長させる手法であり、薄膜を基板から剥離可能という特長を有する。本研究では、化学気相成長（CVD）法によりグラフェンを直接成長させたサファイアを基板に用い、GaN薄膜の成長初期過程を放射光その場X線回折（XRD）により詳細に解析し、GaN薄膜の格子緩和へのグラフェンの効果を調べた。