講演情報
[19p-P01-29]グラフェンを直接成長させたサファイア基板上でのGaNリモートエピタキシーのリアルタイムX線回折
〇(M1)小田 昂到1、川合 良知1、佐々木 拓生2、横澤 翔太1、日比野 浩樹1 (1.関学大理工、2.量研)
キーワード：
グラフェン,リモートエピタキシー,窒化ガリウム
リモートエピタキシーは、原子一層のグラフェンを介して基板に薄膜をエピタキシャル成長させる手法であり、薄膜を基板から剥離可能という特長を有する。本研究では、化学気相成長（CVD）法によりグラフェンを直接成長させたサファイアを基板に用い、GaN薄膜の成長初期過程を放射光その場X線回折（XRD）により詳細に解析し、GaN薄膜の格子緩和へのグラフェンの効果を調べた。