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[19p-P01-71]Performance enhancement of MoS2 transistors by H2S annealing
〇(B)Koki Hori1,2, Naoya Okada1, Wen-Hsin Chang1, Toshifumi Irisawa1, Yui Tamogami3, Ryusuke Natsui3, Takahiko Endo3, Yasumitsu Miyata3, Atsushi Ogura2 (1.AIST, 2.Meiji Univ., 3.TMU)
Keywords:
TMDC,CMOS,H2S
単層MoS2チャネルのnFETにおいて、500 °C のH2Sアニールにより、約１桁の駆動電流向上を示した。この結果は、MoS2表面のH2Sパッシベーションによるキャリア移動度向上を示唆しており、H2Sアニールは、MoS2-FETの性能向上技術として期待できる。