講演情報
[19p-P01-71]硫化水素アニールによるMoS2トランジスタの駆動電流向上
〇(B)堀 幸妃1,2、岡田 直也1、張 文馨1、入沢 寿史1、田母神 唯3、夏井 隆佑3、遠藤 尚彦3、宮田 耕充3、小椋 厚志2 (1.産総研、2.明治大、3.都立大)
キーワード：
TMDC,CMOS,H2S
単層MoS2チャネルのnFETにおいて、500 °C のH2Sアニールにより、約１桁の駆動電流向上を示した。この結果は、MoS2表面のH2Sパッシベーションによるキャリア移動度向上を示唆しており、H2Sアニールは、MoS2-FETの性能向上技術として期待できる。