[20a-A202-1~9] 17.3 Layered materials

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[20a-A202-2] Atomic-resolution electron microscopy of sputter-deposited MoS₂ on substrate

〇(M2)Takashi Takeda¹, Ryo Ono², Yuta Kusama¹, Emi Kano¹, Iriya Muneta², Hitoshi Wakabayashi², Nobuyuki Ikarashi¹ (1.Nagoya Univ., 2.Tokyo Tech.)

Keywords:

transition metal dichalcogenides,transmission electron microscope,semiconductor

遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）は2 nm以降の次世代トランジスタのチャネル材料として注目されている。TMDは結晶欠陥によって物性が大きく変化するため、TMDチャネルの開発には、その結晶構造を原子分解能で実空間観察する解析技術が必要である。本研究では、透過型電子顕微鏡（TEM）を用いて、基板上に堆積したTMDをTMD/基板の積層構造のまま、平面観察を行うための薄片化手法を検討し、原子分解能観察を行った結果を報告する。