[20a-A301-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[20a-A301-3] Film Characteristics deposited by Minimal Fab TiN Reactive Sputtering Tool (4)

〇Shuichi Noda¹, Yuuki Yabuta³, Naoko Yamamoto³, Ryuichiro Kamei³, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.Seinan-Kogyo)

Keywords:

minimalfab,TiN,reactive sputter

TiNメタルゲート用ミニマル反応性スパッタ装置を改良してより高い真空度が維持できる新規装置を開発して現行機と特性比較を行った。分光エリプソメトリによる誘電関数から決定される遮蔽プラズマ周波数（E'_p）を利用した評価を行により、ターゲット―サンプル間距離やスパッタパワーの違いに起因する膜質の違いが推定できた。これらの結果をもとにさらに装置およびプロセスの改良を進める。