Presentation Information
[20a-A302-1]Deposition of Mg0.57Zn0.43O thin film by reactive cosputtering using Mg and Zn targets and fabrication of piezoelectric devices
〇Haruyuki Endo1, Takayuki Nihei1, Kazuyuki Meguro1, Yasube Kashiwaba2 (1.Iwate Ind. Res. Inst., 2.Iwate Univ.)
Keywords:
ZnO,piezoelectric device,resonance-antiresonance characteristics
我々は燃焼圧センサへの応用を目的とし高温用ZnO圧力センサ開発を進めてきたが、250°C以上では素子インピーダンス低下の問題がある。そこでMgxZn1-xO薄膜が高抵抗率で且つ圧電性を有することに着目し、MgxZn1-xO/ZnO構造圧電素子の研究を進めている。本発表では、MgxZn1-xO薄膜をスパッタ法で積層した素子の直流抵抗と共振・反共振法によるインピーダンスの温度特性について報告する。