Presentation Information
[20a-A302-5]Evaluation of Electrical Properties in α-In2O3 Films Grown by Mist CVD Using Various In-based Materials as Source Precursors
〇Takumi Yamamoto1, Akito Taguchi1, Rie Yamada1, Hiroki Nagai1, Takeyoshi Onuma1, Tohru Honda1, Tomohiro Yamaguchi1 (1.Kogakuin Univ.)
Keywords:
Mist CVD,In2O3
α-In2O3はワイドギャップを活かしたパワーデバイスへの応用が期待されている. 現在α-In2O3成長の出発原料としては, In(acac)3が広く用いられている. 一方で, 本研究室において炭素を含まないIn2O3パウダーを出発原料として用いることで高品質なα-In2O3が得られることを報告している. しかし, 成膜されるIn2O3のキャリアの起源は十分に解明されていない. 本研究ではMist CVD法による様々なIn系材料を用いたα-In2O3成長を行い, 得られた試料に対し電気的特性を評価した.