講演情報
[20a-A302-5]各種In系材料を出発原料に用いたMist CVD成長におけるα-In2O3薄膜の電気的特性に関する評価
〇山本 拓実1、田口 義士1、山田 梨詠1、永井 裕己1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1 (1.工学院大)
キーワード：
Mist CVD,酸化インジウム
α-In2O3はワイドギャップを活かしたパワーデバイスへの応用が期待されている. 現在α-In2O3成長の出発原料としては, In(acac)3が広く用いられている. 一方で, 本研究室において炭素を含まないIn2O3パウダーを出発原料として用いることで高品質なα-In2O3が得られることを報告している. しかし, 成膜されるIn2O3のキャリアの起源は十分に解明されていない. 本研究ではMist CVD法による様々なIn系材料を用いたα-In2O3成長を行い, 得られた試料に対し電気的特性を評価した.