Presentation Information
[20a-A302-8]Hole Trapping Centers in Group III Impurity Doped MgO Films
〇(M1)Toshiki Mitomi1, Wataru Kosaka1, Masaki Matuda1, Kotaro Ogawa1, Kusaka Hiroya1, Yuichi Ota2, Kentaro Kaneko3, Tomohiro Yamaguchi1, Toru Honda1, Shizuo Fujita4, Takeyoshi Onuma1 (1.Kogakuin Univ., 2.TIRI, 3.Ritsumeikan Univ., 4.Kyoto Univ.)
Keywords:
magnesium oxide,vacuum ultra violet,hole trapping center
岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛(RS-MgZnO)は、VUV域の半導体発光材料として期待される。これまでに真空紫外線LEDの実現に向けてAl、Ga、InをドープしたRS-MgZnO薄膜を製作し、電気的特性の評価と光学的特性の評価からドナー不純物としての振る舞いについて議論してきた。本講演では、RS-MgZnOの終端材料であるMgOにAl、Ga、Inをドープした試料の光学的特性の評価を行い、正孔捕獲中心の振る舞いについて検討した結果を報告する。