[20a-A302-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:00 〜 11:15

[20a-A302-8] III族不純物ドープMgO薄膜の正孔捕獲中心

〇(M1)三富 俊希¹、高坂 亘¹、松田 真樹¹、小川 広太郎¹、日下 皓也¹、太田 優一²、金子 健太郎³、山口 智広¹、本田 徹¹、藤田 静雄⁴、尾沼 猛儀¹ (1.工学院大、2.都産技研、3.立命館大、4.京都大)

キーワード：

酸化マグネシウム,真空紫外線,正孔捕獲中心

岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛(RS-MgZnO)は、VUV域の半導体発光材料として期待される。これまでに真空紫外線LEDの実現に向けてAl、Ga、InをドープしたRS-MgZnO薄膜を製作し、電気的特性の評価と光学的特性の評価からドナー不純物としての振る舞いについて議論してきた。本講演では、RS-MgZnOの終端材料であるMgOにAl、Ga、Inをドープした試料の光学的特性の評価を行い、正孔捕獲中心の振る舞いについて検討した結果を報告する。