Presentation Information
[20a-A304-1]Additional High-Pressure Hydrogen Annealing Improving the Cryogenic Operation of Si (110)-oriented n-MOSFETs
〇(D)Shunsuke Shitakata1,2, Hiroshi Oka1, Takumi Inaba1, Shota Iizuka1, Kimihiko Kato1, Takahiro Mori1 (1.AIST, 2.APPI, Keio)
Keywords:
Cryo-CMOS,gate stack,quantum computer
極低温下で集積回路を動作させるクライオCMOS技術は量子コンピュータの制御回路として期待されている．MOSFETの極低温動作にはシリコン/絶縁膜界面の品質が大きく影響することが明らかになっており，界面品質の向上が極低温動作MOSFETの特性改善に繋がることが期待される．今回界面品質の向上を狙い，高圧水素アニールを導入し，極低温下動作MOSFETへの適用を検討した．