[20a-A304-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

9:00 〜 9:15

[20a-A304-1] 追加高圧水素アニールによる(110)面Si n-MOSFETの極低温特性改善

〇(D)下方 駿佑^1,2、岡 博史¹、稲葉 工¹、飯塚 将太¹、加藤 公彦¹、森 貴洋¹ (1.産総研、2.慶大物情)

キーワード：

クライオCMOS,ゲートスタック,量子コンピュータ

極低温下で集積回路を動作させるクライオCMOS技術は量子コンピュータの制御回路として期待されている．MOSFETの極低温動作にはシリコン/絶縁膜界面の品質が大きく影響することが明らかになっており，界面品質の向上が極低温動作MOSFETの特性改善に繋がることが期待される．今回界面品質の向上を狙い，高圧水素アニールを導入し，極低温下動作MOSFETへの適用を検討した．