[20a-A304-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[20a-A304-2] Condition to overestimate DIBL parameter in cryogenic operation of MOSFETs

〇(M1)Yuika Kobayashi^1,2, Hidehiro Asai², Shota Iizuka², Junichi Hattori², Tsutomu Ikegami², Koichi Fukuda², Tetsuro Nikuni¹, Takahiro Mori² (1.Tokyo Univ. of Science, 2.AIST)

Keywords:

cryo-CMOS,DIBL,TCAD simulation

極低温環境におけるMOSFETの動作機構の解明は、量子コンピュータの制御用集積回路の実現にむけて重要である。我々はこれまでに、ゲートに対するソース／ドレインのアンダーラップが存在する場合、極低温では低V_d条件下でのV_tが異常を示し、DIBLが過剰に見積られる可能性を指摘した。今回我々は、このような過剰見積の発生条件を、TCADシミュレーションを用いて詳細に検討した。その原因は伝達特性の異常なV_d依存性にある。