[20a-A304-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[20a-A304-5] Integrate-and-Fire Operation by using “Dual-Gate PN-Body Tied SOI-FET”

〇(M2)Haruki Yonezaki¹, Takayuki Mori¹, Jiro Ida¹ (1.Kanazawa Inst. of Tech.)

Keywords:

Integrate-and-Fire model,Floating Body Effect,Steep subthreshold slope

ニューロモルフィックハードウェア実現のため, スパイキングニューロンモデルの一つであるLeaky Integrate-and-Fire (LIF) モデルを単体デバイスで実現する研究が行われている[1]. 我々の研究室でもLIFの内, IF機能を”Dual-Gate PN-Body Tied SOI-FET DG PNBT SOI-FET)”を用いて単体デバイスで実現できることをシミュレーションで報告している[2]. 本研究ではDG PNBT SOI-FETの実測でIF動作が実現できるか初めて検証した.