講演情報
[20a-A304-5]“Dual-Gate PN-Body Tied SOI-FET”を利用したIntegrate-and-Fire動作の実証
〇(M2)米崎 晴貴1、森 貴之1、井田 次郎1 (1.金沢工大)
キーワード：
積分発火モデル,基盤浮遊効果,Steep subthreshold slope
ニューロモルフィックハードウェア実現のため, スパイキングニューロンモデルの一つであるLeaky Integrate-and-Fire (LIF) モデルを単体デバイスで実現する研究が行われている[1]. 我々の研究室でもLIFの内, IF機能を”Dual-Gate PN-Body Tied SOI-FET DG PNBT SOI-FET)”を用いて単体デバイスで実現できることをシミュレーションで報告している[2]. 本研究ではDG PNBT SOI-FETの実測でIF動作が実現できるか初めて検証した.