[20a-A304-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[20a-A304-7] Improvement of current drivability for metal S/D Ge n-MOSFET by introduction of recessed channel structure (III)

〇Hajime Kuwazuru¹, Dong Wang², Keisuke Yamamoto² (1.IGSES, Kyushu Univ., 2.FES, Kyushu Univ.)

Keywords:

Germanium,MOSFET,Metal Source/Drain

当グループはこれまでに、メタルS/D型Ge n-MOSFETに対してチャネル部分を彫り込んだリセスチャネル構造を導入することで電流駆動力の改善及び寄生抵抗の低減に成功している。一方で、寄生抵抗を極小化するリセスチャネルの掘り込み深さ及び形状については調査段階である。そこで今回、2種のリセスチャネル形状のデバイスを作製し、寄生抵抗の掘り込み深さ依存性について系統的に調査した。