講演情報
[20a-A304-7]ﾘｾｽﾁｬﾈﾙ化によるメタルS/D 型Ge n-MOSFET の電流駆動力向上(III)
〇鍬釣 一1、王 冬2、山本 圭介2 (1.九大総理工学府、2.九大総理工研究院)
キーワード：
ゲルマニウム,MOSFET,メタルソース・ドレイン
当グループはこれまでに、メタルS/D型Ge n-MOSFETに対してチャネル部分を彫り込んだリセスチャネル構造を導入することで電流駆動力の改善及び寄生抵抗の低減に成功している。一方で、寄生抵抗を極小化するリセスチャネルの掘り込み深さ及び形状については調査段階である。そこで今回、2種のリセスチャネル形状のデバイスを作製し、寄生抵抗の掘り込み深さ依存性について系統的に調査した。