[20a-A309-1~9] 6.1 Ferroelectric thin films

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[20a-A309-1] Characterization of ferroelectric switching properties for multilayer (Al,Sc)N films with various composition ratio

〇(D)Shinnosuke Yasuoka¹, Kazuki Okamoto¹, Takao Shimizu^2,3, Naoko Matsui⁴, Toshikazu Irisawa⁴, Koji Tsunekawa⁴, Hiroshi Funakubo¹ (1.Tokyo Tech., 2.NIMS, 3.JST PRESTO, 4.Canon ANELVA)

Keywords:

ferroelectric,thin film,nitride

ウルツ鋼構造を有する(Al,Sc)N膜は優れた強誘電特性から、強誘電体メモリへの応用が期待されている。分極のスイッチング特性に関する研究はウルツ鋼型強誘電体の基礎物性の理解だけでなく次世代強誘電体デバイスの開発促進にも不可欠である。本研究では、種々の組成比の(Al,Sc)N膜を作製し、そのスイッチング特性を評価した。また、異なる組成の膜で挟んだ多層膜を作製することにより界面層が強誘電特性に及ぼす影響を調査した。