講演情報
[20a-A309-1]種々の組成の(Al, Sc)N多層膜のスイッチング特性評価
〇(D)安岡 慎之介1、岡本 一輝1、清水 荘雄2,3、松井 尚子4、入澤 寿和4、恒川 孝二4、舟窪 浩1 (1.東工大、2.物材研、3.JST さきがけ、4.キヤノンアネルバ)
キーワード:
強誘電体,薄膜,窒化物
ウルツ鋼構造を有する(Al,Sc)N膜は優れた強誘電特性から、強誘電体メモリへの応用が期待されている。分極のスイッチング特性に関する研究はウルツ鋼型強誘電体の基礎物性の理解だけでなく次世代強誘電体デバイスの開発促進にも不可欠である。本研究では、種々の組成比の(Al,Sc)N膜を作製し、そのスイッチング特性を評価した。また、異なる組成の膜で挟んだ多層膜を作製することにより界面層が強誘電特性に及ぼす影響を調査した。