[20a-A309-1~9] 6.1 Ferroelectric thin films

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[20a-A309-4] Evaluation of band alignment at the Metal/AlScN interface by HAXPES

〇(M2)Gen Nakada¹, Yoshiharu Kirihara¹, Akira Yasui³, Kuniyuki Kakushima², Hiroshi Nohira¹ (1.Tokyo City Univ, 2.Tokyo Institute of Technology, 3.JASRI)

Keywords:

ferroelectric material,aluminium scandium nitride

近年、ウルツ鉱型Al_1-xSc_xNが厚さ20nm以上で100μC•cm^-2の強誘電性を示すことが確認されており、大容量不揮発性メモリへの応用が期待されている。AlScNのデバイスへの応用には、電極材料とAlScN界面において良質な接触状態を形成する必要があるが、バンドオフセットを実験的に決定した報告はほとんどない。そこで本研究では、硬X線光電子分光法(HAXPES)を用いて金属/AlScN構造のバンドアライメントを調べた。