[20a-A309-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

9:45 〜 10:00

[20a-A309-4] HAXPESによる金属/AlScN界面のバンドアライメント評価

〇(M2)中田 弦¹、桐原 芳治¹、保井 晃³、角嶋 邦之²、野平 博司¹ (1.東京都市大学、2.東京工業大学、3.高輝度光化学研究センター)

キーワード：

強誘電体,窒化アルミニウムスカンジウム

近年、ウルツ鉱型Al_1-xSc_xNが厚さ20nm以上で100μC•cm^-2の強誘電性を示すことが確認されており、大容量不揮発性メモリへの応用が期待されている。AlScNのデバイスへの応用には、電極材料とAlScN界面において良質な接触状態を形成する必要があるが、バンドオフセットを実験的に決定した報告はほとんどない。そこで本研究では、硬X線光電子分光法(HAXPES)を用いて金属/AlScN構造のバンドアライメントを調べた。