[20a-A309-1~9] 6.1 Ferroelectric thin films

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[20a-A309-5] Improvement in reliability of FeRAM by protecting ferroelectric capacitor with a bilayered aluminum oxide.

〇Mitsuaki Oikawa¹, Wensheng Wang¹, Takashi Eshita¹, Nozomi Sato¹, Kazuaki Takai¹, Ko Nakamura¹, Masaaki Nakabayashi¹, Soichiro Ozawa¹, Kouichi Nagai¹, Satoru Mihara¹, Yukinobu Hikosaka¹, Hitoshi Saito¹ (1.Fujitsu Semiconductor Memory Solution)

Keywords:

FeRAM,PLZT,Protecting layer

低電圧動作、低リーク電流を持つFRAMを開発するために、キャパシタの強誘電体膜PbLa(Zr,Ti)O3（PLZT）の劣化防止プロセスを開発した。スパッタ法成膜したアルミニウム（ALO）の上にALD法で被覆性良いALOを成膜する積層ALO膜を用いて、水や水素等の還元性物質がキャパシタの強誘電体膜への浸入を保護するより、 低電圧動作FeRAMの電気特性及びデバイスの信頼性を向上する。