講演情報
[20a-A309-5]強誘電体キャパシタの酸化アルミニウム積層保護膜によるFeRAMの高信頼化
〇及川 光彬1、王 文生1、恵下 隆1、佐藤 のぞみ1、高井 一章1、中村 亘1、中林 正明1、小澤 聡一郎1、永井 孝一1、三原 智1、彦坂 幸信1、齋藤 仁1 (1.富士通セミコンダクターメモリソリューション)
キーワード：
FeRAM,PLZT,Protecting layer
低電圧動作、低リーク電流を持つFRAMを開発するために、キャパシタの強誘電体膜PbLa(Zr,Ti)O3（PLZT）の劣化防止プロセスを開発した。スパッタ法成膜したアルミニウム（ALO）の上にALD法で被覆性良いALOを成膜する積層ALO膜を用いて、水や水素等の還元性物質がキャパシタの強誘電体膜への浸入を保護するより、 低電圧動作FeRAMの電気特性及びデバイスの信頼性を向上する。