Presentation Information
[20a-A501-4]Relationship between number of ion irradiations and
morphology of surface structures on SiC substrate
〇Kenichiro Yoshiura1, Naoto Oishi1, Noriko Nitta1 (1.Kochi Univ of Technology)
Keywords:
ripple structure,ionbeam,SiC
電子デバイスへの応用を期待してSiCを用いた微細構造の作製及びプロセスに伴う照射損傷に関する研究が行われてきた。これに付随して、固体表面に対するイオンビーム照射により、ナノサイズの構造が形成されることが知られている。先行研究ではSiC基板をターゲットにして、リップル構造を作製した。またイオンビーム照射の重畳によってリップル構造の形成を確認した。本研究では重畳回数とリップル構造の形態との関係性を記述する。