[20a-A501-1~8] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[20a-A501-4] 重畳を伴うイオン照射における照射回数とSiC表面構造形態との関係性

〇芦浦 憲一郎¹、大石 脩人¹、新田 紀子¹ (1.高知工大)

キーワード：

リップル構造,イオンビーム,炭化ケイ素

電子デバイスへの応用を期待してSiCを用いた微細構造の作製及びプロセスに伴う照射損傷に関する研究が行われてきた。これに付随して、固体表面に対するイオンビーム照射により、ナノサイズの構造が形成されることが知られている。先行研究ではSiC基板をターゲットにして、リップル構造を作製した。またイオンビーム照射の重畳によってリップル構造の形成を確認した。本研究では重畳回数とリップル構造の形態との関係性を記述する。