[20a-B101-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[20a-B101-1] Fabrication of free-standing GaN substrates by pore-assisted separation method

〇Masafumi Yokoyama¹, Fumimasa Horikiri¹, Hisashi Mori¹, Taichiro Konno¹, Hajime Fujikura¹ (1.SUMITOMO CHEMICAL Co., Ltd.)

Keywords:

GaN,porous structure,separation method

電気化学処理により表面を平坦に維持したまま、GaN 層中に多孔質構造を形成し、その上に Hydride vapor-phase-epitaxy (HVPE) 成長した厚膜 GaN 層を剥離する方法、多孔質構造形成剥離法 (pore-assisted separation: PAS 法) を検討した。