[20a-B101-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:00 〜 9:15

[20a-B101-1] Pore-assisted separation 法による GaN 自立基板の製作

〇横山 正史¹、堀切 文正¹、森 久¹、今野 泰一郎¹、藤倉 序章¹ (1.住友化学株式会社)

キーワード：

GaN,多孔質構造,剥離法

電気化学処理により表面を平坦に維持したまま、GaN 層中に多孔質構造を形成し、その上に Hydride vapor-phase-epitaxy (HVPE) 成長した厚膜 GaN 層を剥離する方法、多孔質構造形成剥離法 (pore-assisted separation: PAS 法) を検討した。