Presentation Information
[20a-B101-2]High temperature and high speed growth of GaN using HVPE-THVPE hybrid method
〇Kota Nemoto1, Xingxing Pan1, Hisashi Murakami2 (1.TUAT, 2.TUAT.BASE)
Keywords:
gallium nitiride
GaCl₃を原料とするTHVPEによるGaN結晶成長で課題となる基板界面の空隙の抑制のためのTHVPE・HVPEハイブリッド法の検討を行った。基板－成長層界面で発生するボイドの原因をGaN成長初期における原料分子生成の不安定性であるとの仮説をたて、原料生成安定化のため成長初期にGaClを用いるHVPE-GaN成長層を挿入し、ボイド抑制効果の調査、GaN高温・高速成長の条件検討を行った。