[20a-B101-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:15 〜 9:30

[20a-B101-2] HVPE･THVPEハイブリッド法によるGaN高温･高速成長

〇根本 幸太¹、Xingxing Pan¹、村上 尚² (1.東京農工大院工、2.東京農工大院BASE)

キーワード：

窒化ガリウム

GaCl₃を原料とするTHVPEによるGaN結晶成長で課題となる基板界面の空隙の抑制のためのTHVPE・HVPEハイブリッド法の検討を行った。基板－成長層界面で発生するボイドの原因をGaN成長初期における原料分子生成の不安定性であるとの仮説をたて、原料生成安定化のため成長初期にGaClを用いるHVPE-GaN成長層を挿入し、ボイド抑制効果の調査、GaN高温・高速成長の条件検討を行った。