[20a-B101-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[20a-B101-3] Thermodynamic analysis for HVPE growth of Sn-doped GaN layers

〇Kazuki Ohnishi¹, Kansuke Hamasaki², Naoki Fujimoto¹, Shugo Nitta¹, Hirotaka Watanabe¹, Yoshio Honda^1,3,4, Hiroshi Amano^1,3,4 (1.IMaSS, Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ., 3.Deep Tech, Nagoya Univ., 4.IAR, Nagoya Univ.)

Keywords:

HVPE,GaN,Thermodynamic analysis

GaN系縦型パワーデバイスの高性能化に向けて、GaN基板の抵抗低減が必須となる。我々は、低抵抗GaN基板の実現に向けてSnを不純物ドナーとして着目した。しかしながら、Sn添加GaNのHVPE成長報告例はなく、添加手法が確立されていない。本研究では、Sn添加GaNのHVPE成長に向けて熱力学的な見地からSn添加手法を調べたので報告する。