[20a-B101-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:30 〜 9:45

[20a-B101-3] Sn添加GaNのHVPE成長に向けた熱力学的検討

〇大西 一生¹、濵﨑 乾輔²、藤元 直樹¹、新田 州吾¹、渡邉 浩崇¹、本田 善央^1,3,4、天野 浩^1,3,4 (1.名大未来研、2.名大院工、3.名大Dセンター、4.名大IAR)

キーワード：

ハライド気相成長,窒化ガリウム,熱力学解析

GaN系縦型パワーデバイスの高性能化に向けて、GaN基板の抵抗低減が必須となる。我々は、低抵抗GaN基板の実現に向けてSnを不純物ドナーとして着目した。しかしながら、Sn添加GaNのHVPE成長報告例はなく、添加手法が確立されていない。本研究では、Sn添加GaNのHVPE成長に向けて熱力学的な見地からSn添加手法を調べたので報告する。