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9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[20a-B101-4]HVPE Growth of Sn-doped GaN with High Electron Density

〇Kansuke Hamasaki¹, Kazuki Ohnishi², Shugo Nitta², Naoki Fujimoto², Hirotaka Watanabe², Yoshio Honda^2,3,4, Hiroshi Amano^2,3,4 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.Deep Tech, Nagoya Univ., 4.IAR, Nagoya Univ.)

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Keywords:

HVPE,GaN,Low resistivity

GaN縦型パワーデバイスのオン抵抗低減のため, GaN基板の低抵抗化が求められる. 低抵抗n型GaN基板の実現に向け, 我々はドーパントとしてSnに注目した. 現状, バルク成長手法を用いてSn添加GaNを成長させた報告はない. 本研究では, 主流の基板作製手法であるHVPE法を用いた高電子密度Sn添加GaNの成長を試みたので報告する.

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