講演情報

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[20a-B101-4]高電子密度Sn添加GaNのHVPE成長

〇浜崎乾輔¹、大西一生²、新田州吾²、藤元直樹²、渡邉浩崇²、本田善央^2,3,4、天野浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)

キーワード：

ハライド気相成長,窒化ガリウム,低抵抗

GaN縦型パワーデバイスのオン抵抗低減のため, GaN基板の低抵抗化が求められる. 低抵抗n型GaN基板の実現に向け, 我々はドーパントとしてSnに注目した. 現状, バルク成長手法を用いてSn添加GaNを成長させた報告はない. 本研究では, 主流の基板作製手法であるHVPE法を用いた高電子密度Sn添加GaNの成長を試みたので報告する.

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