[20a-B101-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[20a-B101-5] Crystallization of high-resistivity Zn-doped GaN monocrystal via hydride vapor phase epitaxy

〇Takafumi Odani¹, Kenji Iso¹, Yuichi Oshima², Hirotaka Ikeda¹, Tae Mochizuki¹, Satoru Izumisawa¹ (1.Mitsubishi Chemical, 2.NIMS)

Keywords:

GaN,HVPE,Semi-Insulating

横型GaNパワーデバイス用の材料として、高抵抗のGaN基板が期待されている。これまで、GaNを高抵抗化するアクセプターはFeなどが挙げられるが、温度が高くなるにつれて比抵抗が減少する課題があった。そこで、ZnドープGaN基板を作製して電気特性評価をしたところ、FeドープGaN基板よりも高温で比抵抗が高く、高温動作するパワーデバイス用の基板としてより好ましい特性を有していることがわかった。