講演情報
[20a-B101-5]HVPE法による高抵抗ZnドープGaN結晶成長
〇尾谷 卓史1、磯 憲司1、大島 祐一2、池田 宏隆1、望月 多恵1、泉沢 悟1 (1.三菱ケミカル、2.物材機構)
キーワード：
窒化ガリウム,ハイドライド気相成長,半絶縁性
横型GaNパワーデバイス用の材料として、高抵抗のGaN基板が期待されている。これまで、GaNを高抵抗化するアクセプターはFeなどが挙げられるが、温度が高くなるにつれて比抵抗が減少する課題があった。そこで、ZnドープGaN基板を作製して電気特性評価をしたところ、FeドープGaN基板よりも高温で比抵抗が高く、高温動作するパワーデバイス用の基板としてより好ましい特性を有していることがわかった。