[20a-B101-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[20a-B101-8] Suppression of large pits by ambient heating in OVPE-GaN

〇(M2)Yuki Sakurai¹, Shigeyoshi Usami¹, Masayuki Imanishi¹, Tomoaki Sumi², Junichi Takino², Yoshio Okayama², Mihoko Maruyama¹, Masashi Yoshimura³, Masahiko Hata⁴, Masashi Isemura⁵, Yusuke Mori¹ (1.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 2.Panasonic Holdings Corp., 3.ILE, Osaka Univ., 4.Itochu Plastics Inc., 5.Sosho-Ohshin Inc.)

Keywords:

gallium nitride,OVPE,semiconductor

GaNパワーデバイスの普及に向けて、我々はOVPE法に取り組んでいる。現状のOVPE法の課題として、気相中で生成された微小なGaNの多結晶が基板上に飛来することを起点として発生すると考えられている大ピットにより、膜厚が局所的に小さくなる領域が存在することが挙げられる。本研究では、大ピット抑制に向けて加熱方式を変更した。結果として、大ピットを抑制しつつ300 µm/hを超える成長速度を達成した。