講演情報
[20a-B101-8]OVPE-GaN成長における雰囲気加熱方式を用いた大ピット抑制
〇(M2)櫻井 悠貴1、宇佐美 茂佳1、今西 正幸1、隅 智亮2、滝野 淳一2、岡山 芳央2、丸山 美帆子1、吉村 政志3、秦 雅彦4、伊勢村 雅士5、森 勇介1 (1.阪大院工、2.パナソニックホールディングス (株)、3.阪大レーザー研、4.伊藤忠プラスチックス (株)、5.(株) 創晶應心)
キーワード：
GaN,OVPE法,半導体
GaNパワーデバイスの普及に向けて、我々はOVPE法に取り組んでいる。現状のOVPE法の課題として、気相中で生成された微小なGaNの多結晶が基板上に飛来することを起点として発生すると考えられている大ピットにより、膜厚が局所的に小さくなる領域が存在することが挙げられる。本研究では、大ピット抑制に向けて加熱方式を変更した。結果として、大ピットを抑制しつつ300 µm/hを超える成長速度を達成した。