Presentation Information
[20a-B101-9]Examination of Crystal Growth Conditions on Meltback Surface for Reduction of Dislocations in GaN Crystals in the Na Flux Method
〇Shogo Washida1, Masayuki Imanishi1, Kazuma Hamada1, Ricksen Tandryo1, Kosuke Murakami1, Shigeyoshi Usami1, Mihoko Maruyama1, Masashi Yoshimura1,2, Yusuke Mori1 (1.Grad. Sch. of Eng. Osaka Univ., 2.ILE, Osaka Univ.)
Keywords:
GaN,Na-flux method,dislocation
GaN系縦型パワーデバイスの実現のため、低転位なGaN基板が求められている。転位低減手法として、我々は未飽和融液を用いて種結晶を溶解 (メルトバック) することで表面に凹凸を形成し、その凹凸を起因とするファセットによる横方向成長 (ファセット成長) に着目した。ファセット成長を用いた転位低減はすでに報告しているが、メルトバック後の成長界面において多数の転位が発生する領域が存在していた。本研究では、メルトバック後のGa-Na融液に窒素を溶解する工程 (窒素溶解工程) に着目した。結果として、窒素溶解工程における成長を抑制することで成長界面における転位発生の抑制が可能であることがわかった。