講演情報
[20a-B101-9]Naフラックス法におけるGaN結晶低転位化に向けたメルトバック表面上成長条件の検討
〇鷲田 将吾1、今西 正幸1、濱田 和真1、Tandryo Ricksen1、村上 航介1、宇佐美 茂佳1、丸山 美帆子1、吉村 政志1,2、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)
キーワード：
窒化ガリウム,Naフラックス法,転位
GaN系縦型パワーデバイスの実現のため、低転位なGaN基板が求められている。転位低減手法として、我々は未飽和融液を用いて種結晶を溶解 (メルトバック) することで表面に凹凸を形成し、その凹凸を起因とするファセットによる横方向成長 (ファセット成長) に着目した。ファセット成長を用いた転位低減はすでに報告しているが、メルトバック後の成長界面において多数の転位が発生する領域が存在していた。本研究では、メルトバック後のGa-Na融液に窒素を溶解する工程 (窒素溶解工程) に着目した。結果として、窒素溶解工程における成長を抑制することで成長界面における転位発生の抑制が可能であることがわかった。