[20a-B201-1~6] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)

[20a-B201-1] Multi-scale Simulation of Solvent Inclusion Formation in SiC Solution Growth Method

〇Langcheng Zheng¹, Huiqin Zhou¹, Yifan Dang¹, Kentaro Kutsukake^2,3, Shunta Harada^1,3, Miho Tagawa^1,3, Toru Ujihara^1,3 (1.Grad. School of Eng. Nagoya Univ., 2.AIP RIKEN, 3.IMaSS Nagoya Univ.)

Keywords:

semiconductor,silicon carbide,phase field

本研究は実際のSiC溶液成長における溶媒インクルージョンの形成をより精確に再現することを目指し、CFDモデルから得られたデータ（マクロステップの高さ、溶媒流速）を用いて、フェーズフィールド（PF）モデルとの統合モデルを構築した。この統合モデルを用いて、ステップバンチングと溶媒インクルージョンの原因となるセル構造の形成を再現するシミュレーションを行い、マクロステップの高さと溶媒の流れ速度がセル構造の形態に及ぼす影響を詳細に考察した。