講演情報
[20a-B201-1]SiC溶液成長における溶媒インクルージョン形成のマルチスケールシミュレーション
〇鄭 朗程1、周 惠琴1、黨 一帆1、沓掛 健太朗2,3、原田 俊太1,3、田川 美穂1,3、宇治原 徹1,3 (1.名大院工、2.理研AIP、3.名大未来研)
キーワード：
半導体,炭化ケイ素,フェーズフィールド
本研究は実際のSiC溶液成長における溶媒インクルージョンの形成をより精確に再現することを目指し、CFDモデルから得られたデータ（マクロステップの高さ、溶媒流速）を用いて、フェーズフィールド（PF）モデルとの統合モデルを構築した。この統合モデルを用いて、ステップバンチングと溶媒インクルージョンの原因となるセル構造の形成を再現するシミュレーションを行い、マクロステップの高さと溶媒の流れ速度がセル構造の形態に及ぼす影響を詳細に考察した。