[20a-B201-1~6] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[20a-B201-4] Theoretical Study of Nitrogen Incorporation at the Steps on SiC(0001) Surface during CVD Growth

〇Souichiro Yamauchi¹, Ichiro Mizushima², Takashi Yoda^2,3, Atsushi Oshiyama⁴, Kenji Shiraishi⁴ (1.Nagoya Univ., 2.NuFlare Technology, Inc., 3.Tokyo Inst. of Tech., 4.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:

silicon carbide,epitaxial growth,nitrogen doping

SiCエピタキシャル成長で広範囲の価電子制御を実現するには、SiC表面での窒素ドーピングのメカニズムを解明する事が重要である。そこで４H-SiC(0001)の微斜面に現れるステップ端へのN₂吸着を調べた。第一原理計算を用いてN₂吸着構造、窒素被覆率、そしてN_２がステップ端に吸着して膜中に取り込まれる反応過程とそのエネルギー障壁も明らかにした。これらより、N₂はステップ端での吸着・乖離反応を経て、結晶中に取り込まれることがわかった。