講演情報
[20a-B201-4]CVD 環境下におけるSiC表面ステップへの N原子取り込み機構の理論研究
〇山内 颯一郎1、水島 一郎2、依田 孝2,3、押山 淳4、白石 賢二4 (1.名大院工、2.ニューフレアテクノロジー、3.東工大未来研、4.名大未来研)
キーワード：
SiC,エピタキシャル成長,窒素ドーピング
SiCエピタキシャル成長で広範囲の価電子制御を実現するには、SiC表面での窒素ドーピングのメカニズムを解明する事が重要である。そこで４H-SiC(0001)の微斜面に現れるステップ端へのN2吸着を調べた。第一原理計算を用いてN2吸着構造、窒素被覆率、そしてN２がステップ端に吸着して膜中に取り込まれる反応過程とそのエネルギー障壁も明らかにした。これらより、N2はステップ端での吸着・乖離反応を経て、結晶中に取り込まれることがわかった。