[20p-A202-1~11] Interfacial Nano Electrochemistry: Deepening semiconductor wet processing

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[20p-A202-3] Analysis of surface behavior in Si etching process with the HF/HNO₃ mixture by single spin wafer processor

〇Kenya Nishio¹, Tomoki Hirano¹, Takashi Oinoue¹, Suguru Saito¹, Yoshiya Hagimoto¹, Hayato Iwamoto¹ (1.Sony Semiconductor Solutions Corp.)

Keywords:

Si etching process,HF/HNO3 mixture

Si基板の裏面を研磨して薄化するバックグラインド工程後に発生するダメージ層の除去には、フッ硝酸(HF/HNO₃混合液)によるSiエッチングが一般的に用いられる。これまで、基板面内のエッチング分布はフッ硝酸濃度に依存して変化することを明らかにした。しかし、フッ硝酸の濃度依存によるSi表面状態の変化は詳細に解明されていない。本研究では局所的な表面状態の変化に着目して、フッ硝酸Siエッチングのメカニズムを考察した。