講演情報
[20p-A202-3]枚葉式フッ硝酸Siエッチングにおける表面挙動の解析
〇西尾 賢哉1、平野 智暉1、大井上 昂志1、齋藤 卓1、萩本 賢哉1、岩元 勇人1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)
キーワード：
Siエッチング,フッ硝酸
Si基板の裏面を研磨して薄化するバックグラインド工程後に発生するダメージ層の除去には、フッ硝酸(HF/HNO3混合液)によるSiエッチングが一般的に用いられる。これまで、基板面内のエッチング分布はフッ硝酸濃度に依存して変化することを明らかにした。しかし、フッ硝酸の濃度依存によるSi表面状態の変化は詳細に解明されていない。本研究では局所的な表面状態の変化に着目して、フッ硝酸Siエッチングのメカニズムを考察した。