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3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[20p-A301-8]Optical spin dynamics of InAs quantum dots tunnel-coupled with dilute nitride GaNAs quantum well with different thicknesses

〇Shino Sato¹, Masayoshi Hosoe¹, Satoshi Hiura¹, Junichi Takayama¹, Akihiro Murayama¹ (1.IST, Hokkaido Univ.)

Keywords:

quantum dot,dilute nitride semiconductor,spin dynamics

室温において電子のスピン偏極度を増幅させることが知られている希薄窒化GaNAs量子井戸をInAs量子ドットにトンネル結合させた構造において、量子井戸の厚さの違いによるスピン発光特性への影響を研究した。厚さ5, 10, 20 nmの3種類のGaN_0.01As_0.99量子井戸が，厚さ3 nmのGaAsトンネルバリアを介してInAs量子ドットと結合した試料を分子線エピタキシー法により作製し，円偏光時間分解フォトルミネッセンス測定の結果から電子スピンダイナミクスを議論する．

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